滨松光子（Hamamatsu Photonics）宣布，成功实现了振荡波长仅342nm的紫外半导体激光器室温脉冲振荡。该公司介绍说：“该半导体激光器的振荡波长为全球最短。此前明确公布元件特性的最短激光器振荡波长为350.9nm。”单端面的光输出功率为16mW，外部微分量子效率为8.2％。  

    激光器采用AlGaN（氮化铝镓）类材料。目前，振荡波长为405nm的蓝色半导体激光器等尚未使用可以提高发光效率的In（铟）。此次，底板采用了蓝宝石。在底板上，采用“异面控制横向外延过生长法(FACELO： hetero facet controlled epitaxial lateral overgrowth）”形成了GaN层。通过在制成条纹状SiO2掩膜后,使GaN膜生长，从而获得结晶缺陷少的GaN膜。  
 
　　 在GaN层上部，以n型接触层、n型金属包层、波导层、采用多重量子阱结构的发光层、波导层及电子块层及p型金属包层的次序，使多种膜生长。n型金属包层和p型金属包层的铝构成比高达30％。多重量子阱采用的是铝镓构成比为4：96的层和14：86的层之间相互叠加的结构。  

    主要用于生物和环境等领域  

　　 该公司之所以能够领先其他竞争对手，成功使342nm激光器实现室温脉冲振荡，是因为“能够使铝构成比高达30％的金属包层以很少的结晶缺陷生长”（该公司）。一般来说，如果使结晶在晶格常数尚未统一的底板上生长，在拉伸变形作用下，结晶中会产生移位、裂纹等缺陷。并且，此次金属包层及发光层等采用的AlGaN的生长温度高，比其他结晶更容易产生缺陷。该公司尚未公布解决上述问题的技术要点，不过主张“通过导入基于自主技术的GaN结晶结构，成功地使铝构成比高达30％，而且结晶缺陷少的AlGaN的生长”。  

　　 今后，该公司将致力于确认室温连续振荡、确保寿命以及降低电压等。此外，还计划通过提高铝构成比，进一步缩短波长。  

　　 该公司指出，紫外半导体激光器的主要用途是“取代汞灯和大型气体激光器装置”。比如，在生物技术领域，化学键的光能以340nm附近的物质居多，因此可以用于计测生体分子活动。具体来说，可用来监测病原体污染以及检测有害化学物质等。此外，应用于打印机和光盘，可以提高打印密度和记录密度。  

　　 此次的研究成果将刊登在英国科学杂志《Nature Photonics》”的9月号（预定2008年9月1日发行）上。另外，部分内容已率先在该杂志的web网站上公开。